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SI2328DS-T1-E3中文资料

SI2328DS-T1-E3图片

SI2328DS-T1-E3外观图

  • 大小:89.2KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:1.15A; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:730mW; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 数据列表:SI2328DS
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:TrenchFET®
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:250 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:4nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:730mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI2328DS-T1-E3TR

SI2328DS-T1-E3供应商

更新时间:2023-01-15 21:03:41
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